Silicon Wafer Là Gì

     
Thư điện tử: infoTrên hệ thống điện mặt trời lưới điện mặt trờiTắt hệ thống năng lượng mặt trời lưới điệnHệ thống tích điện mặt trời hỗn hợp / giữ trữBảng điều khiển tích điện mặt trờiPin mặt trời & Silicon WaferInverterVật tư năng lượng mặt trờiCấu trúc đính thêm đặtThiết bị chạy bằng tích điện mặt trờidsneg.com


Bạn đang xem: Silicon wafer là gì

*

bao gồm tám cách để sản xuất pin khía cạnh trời tự tấm silicon đến thử nghiệm sau cùng của pin khía cạnh trời đang sẵn sàng.

Bước 1: đánh giá wafer

Silicon wafer là chất mang pin mặt trời. Quality của wafer silicon trực tiếp đưa ra quyết định hiệu quả đổi khác của pin mặt trời, bởi vì vậy rất cần phải kiểm tra wafer silicon đến. Quy trình này đa số được sử dụng để đo trực tuyến một số thông số chuyên môn của tấm silicon, như độ nhám bề mặt, tuổi lâu thiểu số, năng lượng điện trở suất, loại phường / N cùng microcrack, v.v. Thứ bao gồm tự động tải và tháo dỡ tải, truyền wafer, tích hợp hệ thống và tứ mô-đun phân phát hiện.

trong số đó, thiết bị phát hiện wafer silicon quang năng lượng điện phát hiện tại độ nhám bề mặt của wafer silicon, mặt khác phát hiện những thông số xuất hiện như size và đường chéo của wafer silicon. Mô-đun phát hiện microcrack được sử dụng để vạc hiện những vết nứt nhỏ bên vào của wafer silicon. Bên cạnh ra, gồm hai mô-đun phạt hiện, một trong các đó là mô-đun thí nghiệm trực tuyến hầu hết kiểm tra điện trở suất và nhiều loại wafer, và mô-đun kia được áp dụng để soát sổ tuổi thọ của wafer silicon. Trước khi phát hiện tại tuổi thọ cùng điện trở thiểu số, đường chéo và microcrack của wafer silicon cần được vạc hiện cùng wafer silicon bị hỏng đề nghị được auto loại bỏ. Thiết bị đánh giá wafer bao gồm thể tự động tải và tháo dỡ wafer, và rất có thể đặt các thành phầm không đầy đủ tiêu chuẩn ở vị trí cố kỉnh định, để cải thiện độ đúng chuẩn và công dụng của demo nghiệm.

Bước 2: Hoạ máu và làm cho sạch

Việc chuẩn chỉnh bị mặt phẳng của da lộn silicon solo tinh thể là sử dụng sự làm mòn dị hướng của silicon để tạo thành sản phẩm triệu kết cấu hình chóp bốn mặt trên mặt phẳng silicon của mỗi cm vuông. Do có tương đối nhiều sự bức xạ và khúc xạ của tia nắng tới bên trên bề mặt, sự hấp thụ ánh nắng được tăng lên, và loại điện ngắn mạch cùng hiệu suất biến hóa của pin sạc được cải thiện.

Dung dịch ăn mòn dị hướng silic hay là hỗn hợp kiềm nóng. Những bazơ tất cả sẵn là natri hydroxit, kali hydroxit, lithium hydroxit cùng ethylenediamine. Số đông trong số họ sử dụng dung dịch trộn loãng natri hydroxit giá thấp với nồng độ khoảng tầm 1% để chuẩn bị silicon da lộn, với nhiệt độ bào mòn là 70-85oC. Để đã có được da lộn đồng nhất, các rượu như ethanol với isopropanol yêu cầu được cung cấp như các tác nhân tạo phức để tăng tốc độ ăn mòn silicon. Trước khi chuẩn bị da lộn, wafer silicon phải trải qua sự làm mòn bề mặt ban sơ và khoảng 20 ~ 25 micron chất lỏng làm mòn kiềm hoặc axit buộc phải được áp dụng để loại trừ nó. Sau khi da lộn bị ăn uống mòn, phải tiến hành làm sạch hóa học nói chung. Các tấm silicon được sẵn sàng trên bề mặt không bắt buộc được tàng trữ trong nước vào một thời gian dài để chống ngừa ô nhiễm.

Bước 3: Khuếch tán

Một khoanh vùng rộng lớn của ngã cha PN là quan trọng để tiến hành việc biến đổi năng lượng tia nắng thành năng lượng điện. Lò khuếch tán là một trong thiết bị đặc biệt để tiếp tế ngã ba PN của pin phương diện trời. Lò khuếch tán hình ống nhà yếu bao hàm bốn phần: phần trên của thuyền thạch anh, buồng khí thải, phần thân lò và phần tủ khí. Thông thường, nguồn phospho oxychloride lỏng được áp dụng làm nguồn khuếch tán. Tấm silicon loại p. được để trong thùng thạch anh của lò khuếch tán hình ống. Phospho oxychloride được chuyển vào thùng chứa thạch anh bằng nitơ ở ánh sáng cao 850-- 900 độ C. Phospho oxychloride phản nghịch ứng với những tấm silicon để thu được các nguyên tử phốt pho. Sau một thời gian nhất định, những nguyên tử phốt pho lấn sân vào lớp mặt phẳng của các tấm silicon từ bỏ khắp chỗ và ngấm vào các tấm silicon thông qua khoảng cách giữa các nguyên tử silicon, tạo thành thành điểm nối của chất cung cấp dẫn các loại n cùng chất bán dẫn nhiều loại p, cụ thể là PN bổ ba. Ngã cha PN được tạo ra bằng cách thức này tất cả độ đồng rất nhiều tốt, độ không đồng hầu như của năng lượng điện trở khối nhỏ tuổi hơn 10% với tuổi thọ thiểu số lớn hơn 10ms. Làm cho ngã ba PN là quá trình cơ bản và đặc trưng nhất trong thêm vào pin mặt trời. Chính vì nó là sự hình thành của tiếp gần cạnh PN, vì đó các electron với lỗ trống trong dòng chảy sẽ không còn trở về ban đầu, vì vậy sự sinh ra của một mẫu điện, áp dụng một dây dẫn nhằm dẫn chiếc điện, được coi là dòng điện trực tiếp. Quá trình này được thực hiện trong cấp dưỡng và sản xuất các tấm pin phương diện trời.

Bước 4: bí quyết ly và làm sạch sẽ cạnh

Bằng phương thức ăn mòn hóa học, những tấm silicon được dìm trong dung dịch axit hydrofluoric để tạo nên phản ứng hóa học tạo nên thành axit hexafluorosilicic hòa tan, để loại trừ một lớp thủy tinh trong silic photpho sinh ra trên bề mặt của những tấm silicon sau khoản thời gian khuếch tán. Trong quá trình khuếch tán, POCL3 phản nghịch ứng cùng với O2 để làm ra lắng ứ P2O5 trên mặt phẳng của wafer silicon. P2O5 phản ứng với đê mê để tạo thành các nguyên tử SiO2 cùng phốt pho. Theo phong cách này, một tấm SiO2 chứa các nguyên tố phốt pho được sinh ra trên bề mặt của wafer silicon, được call là thủy tinh phosphosilicon.

những thiết bị cho thủy tinh silicon phốt pho thường bao hàm thân máy, bể có tác dụng sạch, hệ thống truyền đụng servo, cánh tay cơ khí, khối hệ thống điều khiển năng lượng điện và hệ thống phân phối axit từ bỏ động, vv các nguồn năng lượng chính là axit hydrofluoric, nitơ, khí nén, nước tinh khiết, thải nhiệt và nước thải. Axit hydrofluoric rất có thể hòa rã silica vày axit hydrofluoric phản ứng cùng với silica sinh sản thành khí tetrafluoride silic dễ cất cánh hơi. Ví như axit hydrofluoric thừa mức, tetrafluoride silicon sinh ra từ bội phản ứng sẽ liên tiếp phản ứng cùng với axit hydrofluoric để chế tạo thành axit hexafluorosilicic hòa tan.

Do quy trình khuếch tán, trong cả khi áp dụng khuếch tán ngược trở lại, toàn bộ các bề mặt bao hàm các cạnh của wafer silicon chắc chắn là sẽ được khuếch tán cùng với phốt pho. Những electron quang điện được thu thập từ vùng phía đằng trước của ngã ba PN đã chảy ra phía sau của ngã ba PN dọc từ rìa của khu vực phốt pho, gây ra đoản mạch. Vì đó, silicon trộn tạp xung quanh pin mặt trời đề xuất được tương khắc để loại trừ mối nối PN sống rìa của tế bào.

Xem thêm: Trợ Từ Là Gì - Các Loại Trợ Từ


Xem thêm: Top 5 App Phần Tích Khuôn Mặt Chọn Kiểu Tóc Hot Nhất, Top App Cho Phép Bạn Thử Kiểu Tóc Trước Khi Cắt


Plasma khắc thường xuyên được thực hiện để ngừng quá trình này. Tự khắc plasma là một quy trình trong đó phân tử bà bầu của khí phản nghịch ứng CF4 bị ion hóa và chế tạo ra thành plasma dưới sự kích ham mê của tích điện rf sinh hoạt áp suất thấp. Plasma bao hàm các electron và ion tích điện, khí trong buồng phản ứng dưới tác động ảnh hưởng của electron, kế bên việc thay đổi thành những ion, mà còn hoàn toàn có thể hấp thụ tích điện và tạo thành thành một số lượng lớn những nhóm hoạt động. Các nhóm làm phản ứng tiếp cận bề mặt SiO2 vị khuếch tán hoặc dưới tác dụng của năng lượng điện trường, trong số ấy chúng tất cả phản ứng hóa học với mặt phẳng vật liệu tự khắc và tạo nên thành các sản phẩm phản ứng cất cánh hơi thoát ra khỏi bề mặt vật liệu bị làm mòn và được chiết xuất từ vùng bằng hệ thống chân không.

Bước 5: ngọt ngào và lắng đọng ARC (Chống phản chiếu)

Độ bức xạ của bề mặt silicon được đánh bóng của màng phòng phản chiếu mạ là 35%. Để sút phản xạ mặt phẳng và cải thiện hiệu suất biến hóa của pin, một lớp màng chống bức xạ silicon nitride rất cần phải được lắng đọng. Ngày nay, máy PECVD thường được áp dụng để sẵn sàng màng chống phản xạ trong sản xuất công nghiệp. PECVD là ngọt ngào và lắng đọng hơi hóa chất tăng tốc plasma. Đó là nguyên tắc kỹ thuật của plasma ánh sáng thấp được thực hiện làm mối cung cấp năng lượng, mẫu trên phóng điện cực âm bên dưới áp suất thấp, sử dụng các mẫu đốt nóng phát sáng đến nhiệt độ độ khẳng định trước, sau đó truyền vào khí phản nghịch ứng SiH4 với NH3, khí thông sang 1 loạt các phản ứng hóa học và plasma, tạo nên thành một màng rắn trên mặt phẳng mẫu là màng mỏng mảnh silicon nitride. Thông thường, các màng mỏng mảnh được lắng đọng bằng phương thức lắng ứ hơi hóa học được bức tốc plasma này dày khoảng chừng 70nm. Một bộ phim có độ dày này là tác dụng quang học. Sử dụng nguyên lý nhiễu màng mỏng, sự bức xạ ánh sáng rất có thể giảm đi cực kỳ nhiều, dòng điện ngắn mạch và cổng output của pin có thể được tạo thêm rất nhiều, và kết quả cũng rất có thể được cải thiện.

Bước 6: In liên hệ

những pin khía cạnh trời in screen đã được chế tạo thành ngã bố PN sau khi tạo sợi, khuếch tán cùng PECVD và các quá trình khác, hoàn toàn có thể tạo ra dòng điện dưới ánh sáng. Để xuất mẫu điện được tạo ra ra, những điện rất dương cùng âm rất cần phải được thực hiện trên bề mặt của pin. Gồm nhiều cách để chế tạo thành điện cực, và in lụa là quy trình phổ cập nhất để chế tạo điện cực pin khía cạnh trời. In màn hình hiển thị SỬ DỤNG cách thức dập nổi để in giao diện được xác minh trước trên đế.

Thiết bị bao hàm ba phần: in bạc đãi dán ở phương diện sau của pin, in nhôm dán ở phương diện sau của pin với in tệ bạc dán ở khía cạnh trước của pin. Nguyên lý làm việc của nó là: thực hiện lưới mắt lưới thông qua kích thước, với một chiếc cạp theo kích thước của lưới thép nhằm tạo áp lực nhất định, vào khi dịch rời về phía đầu kia của lưới thép. Mực hoàn toàn có thể bóp được từ lưới của phần đồ họa đến hóa học nền lúc nó di chuyển. Do độ nhớt của dán, vệt ấn được cố định và thắt chặt trong một phạm vi nhất định. Trong in ấn, vật dụng cạp luôn luôn tiếp xúc con đường tính cùng với tấm in màn hình và đế, và con đường tiếp xúc dịch chuyển với máy cạp để dứt hành trình in.

Bước 7: Thiêu kết

quá trình thiêu kết nhanh sau khoản thời gian in màn hình của những tấm silicon, cấp thiết được thực hiện trực tiếp, rất cần được thiêu kết bởi lò thiêu kết, đốt cháy vật liệu bằng nhựa hữu cơ, phần còn lại gần như tinh khiết, do tác dụng của chất thủy tinh và ngay gần với năng lượng điện cực bội nghĩa trên các tấm silicon . Khi năng lượng điện cực tệ bạc và silic tinh thể ở ánh sáng nhiệt độ eutectic, các nguyên tử silic tinh thể có phần trăm nhất định vào vật tư điện cực bội bạc nóng chảy, chế tạo ra thành điện cực tiếp xúc với ohmic, nâng cao điện áp mạch mở của tế bào với điền vào hai thông số chính, tạo cho đặc tính chống của nó, để cải thiện hiệu quả biến hóa của pin phương diện trời.

Lò thiêu kết được chia thành ba giai đoạn: nung trước, thiêu kết và làm mát. Mục tiêu của quy trình trước là để phân hủy với đốt hóa học kết bám polymer vào bùn. Trong giai đoạn thiêu kết, các phản ứng thứ lý cùng hóa học không giống nhau được xong xuôi trong khung người thiêu kết để chế tạo thành cấu tạo màng năng lượng điện trở và khiến cho nó thực sự có những đặc tính điện trở. Ở tiến trình này, ánh nắng mặt trời đạt mang lại đỉnh điểm. Trong quy trình tiến độ làm non và làm cho mát, thủy tinh trong nguội đi, cứng lại cùng hóa cứng để cấu trúc màng điện trở cố định và thắt chặt với bề mặt.

Bước 8: khám nghiệm và bố trí tế bào

các pin mặt trời đã chuẩn bị để gắn thêm ráp được thể nghiệm trong điều kiện ánh sáng phương diện trời mô phỏng và kế tiếp được phân các loại và bố trí theo hiệu quả của chúng. Điều này được xử lý vì chưng một thiết bị kiểm soát pin khía cạnh trời auto kiểm tra và sắp xếp các tế bào. Sau đó, những công nhân bên máy chỉ cần rút các ô khỏi kho lưu lại trữ kết quả tương ứng nhưng máy đã sắp xếp các ô.

Pin phương diện trời về cơ phiên bản trở thành một nguyên liệu mới tiếp nối được thực hiện để đính thêm ráp các mô đun PV khía cạnh trời. Tùy thuộc vào độ trơn tru của quá trình sản xuất và unique vật liệu wafer silicon cơ bản, tác dụng cuối thuộc dưới dạng pin khía cạnh trời sau đó được phân nhiều loại thành các loại unique pin khía cạnh trời không giống nhau.

Thiết bị nước ngoài vi với điều kiện

máy ngoại vi trong quy trình sản xuất pin, cấp cho điện, cấp cho nước, thoát nước, hvac, chân không, hơi nước quan trọng và các thiết bị ngoại vi khác là buộc phải thiết. Trang bị phòng cháy trị cháy và bảo đảm an toàn môi trường cũng rất quan trọng nhằm đảm bảo bình yên và cải tiến và phát triển bền vững.

Một dây chuyền sản xuất sản xuất pin khía cạnh trời có năng suất hàng năm là 50MW, chỉ có quy trình và nấc tiêu thụ năng lượng điện của máy là khoảng tầm 1800KW. Số lượng nước tinh khiết xử lý là khoảng 15 tấn từng giờ, và unique nước là cần thiết để đáp ứng tiêu chuẩn kỹ thuật ew-1 của nước cấp điện tử GB / t11446.1-1997 của Trung Quốc. Tiêu thụ nước làm mát của quy trình là khoảng 15 tấn mỗi giờ, form size hạt vào nước ko được thừa 10 micron và nhiệt độ cấp nước bắt buộc là 15-20oC. Lưu lại lượng chân không khoảng 300M3 / H. Nó cũng cần phải khoảng trăng tròn mét khối nitơ và 10 mét khối oxy. Xem xét những yếu tố bình an của các loại khí quan trọng đặc biệt như silan, buộc phải phải thiết lập cấu hình một khoảng tầm khí đặc biệt để đảm bảo an toàn sản xuất hay đối. Ngoài ra, tháp đốt silane và trạm xử lý nước thải cũng chính là cơ sở cần thiết cho sản xuất tế bào.